近日,據外媒報道,三星電子先進技術研究院(SAIT,原三星綜合技術院)宣布成功開發出可將NAND閃存功耗降低90%以上的原創新技術。這一突破性研究成果已發表于國際頂級學術期刊《自然》。
近日,據外媒報道,三星電子先進技術研究院(SAIT,原三星綜合技術院)宣布成功開發出可將NAND閃存功耗降低90%以上的原創新技術。這一突破性研究成果已發表于國際頂級學術期刊《自然》。
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